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Intel、ASML宣布量产100万片High NA EUV晶圆:还要破除最大死穴
📋总体概括
Intel与ASML联合宣布High NA EUV光刻已量产100万片晶圆,且全部来自Intel的18A工艺,远早于原定14A导入计划,进度提前约2年。ASML全球累计135万片中,其余35万片来自台积电、三星、SK海力士的测试及小规模生产。目前全球4家客户共投入10台High NA EUV光刻机,另有3台在安装中。双方还宣布合作开发6x12英寸大尺寸光罩,计划2031年试产、2033年量产,以解决High NA EUV视场减半、芯片面积上限仅429mm2、无法承载高性能AI芯片的死穴。
⚡关键信息
- ▸Intel与ASML联合宣布High NA EUV已量产100万片晶圆,全部来自Intel 18A工艺,比原定14A导入提前约2年。
- ▸ASML全球累计量产135万片High NA EUV晶圆,其余35万片为台积电、三星、SK海力士测试及小规模生产。
- ▸全球4家客户已投入10台High NA EUV光刻机,另有3台正在出货安装。
- ▸双方合作开发6x12英寸光罩,2031年试产、2033年量产,破解视场减半难题。
- ▸当前High NA EUV理论芯片面积上限仅429mm2,而传统EUV约858mm2,无法满足高性能AI芯片需求。
🔥犀利点评
这100万片更像是Intel的自救叙事:唯一的大客户全是自己,所谓里程碑本质是一个人撑起来的独角戏。18A提前用High NA固然激进,但也暴露Intel工艺节点跳票后只能靠技术名词找补的焦虑。真正卡脖子的是429mm2的面积上限,6x12英寸光罩2033年才量产,远水解不了近渴,届时台积电三星怕是早已用多重曝光把High NA玩明白了。
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