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三星电子、台积电确认分别于 2028、2030 年将 High NA EUV 用于量产
📋总体概括
ASML在SPIE大会前夕宣布与三星、台积电、英特尔等先进制程企业合作，推动High NA EUV光刻系统从6英寸掩膜过渡至12英寸掩膜，以提升产能、降低成本并解决『半场』拼接问题。三星确认2028年将High NA EUV用于先进DRAM量产，台积电计划2031年起在先进逻辑制程导入。各方还计划2031年前建成12英寸掩膜试点线，为2033年High NA EUV先进制程投产铺路。
⚡关键信息
- ▸ASML联合三大先进制程企业推动High NA EUV掩膜从6英寸升级至12英寸，以提升机台生产效率
- ▸12英寸掩膜方案旨在降低制造成本，化解当前6英寸方案存在的『半场』拼接问题
- ▸三星电子确认2028年将High NA EUV用于先进DRAM内存大规模量产
- ▸台积电计划从2031年开始在先进逻辑制程量产中导入High NA EUV
- ▸各方计划2031年前建设12英寸掩膜试点线，为2033年先进制程投产做准备
🔥犀利点评
三星抢在2028年用DRAM先行导入High NA EUV，逻辑清晰——内存结构规整、对拼接误差容忍度高，是试水新光刻的理想练兵场；台积电拖到2031年，与其说保守，不如说对High NA的单次曝光面积减半和成本账还没算明白。6英寸转12英寸掩膜本质是ASML在给自家最贵的机器续命：不解决拼接问题，High NA就只是展会上的参数。这场豪赌的胜负，2028年见分晓。
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