三星拟于2028年前将高NA EUV用于DRAM量产

📋总体概括

三星电子与阿斯麦宣布扩大战略合作，计划2028年前首次将高数值孔径（High NA）EUV光刻技术用于DRAM大规模生产，成为该技术在存储领域的早期落地尝试。同时三星将加入12英寸光罩行业合作计划，与伙伴共同开发相关技术和基础设施。三星称12英寸光罩可提升晶圆厂效率、降低制造成本并减少拼接限制，高NA EUV则有望延长DRAM制程微缩路线、简化工艺，为存储芯片延续微缩竞争提供新路径。