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三星4nm制程满负荷运转 过半产能已分配给HBM4
📋总体概括
三星电子因HBM需求远超供应，已将4纳米制程产能过半投入HBM4基础裸片生产，4纳米产线满负荷运转。平泽工厂4纳米月产能约3万片，其中1.5万片用于HBM4基础裸片。三星还考虑将2纳米制程用于HBM基础裸片，可能专供英伟达。KB Securities指出三星与SK海力士存储库存已不足10天供应量，AI数据中心需求推动三大厂商扩产HBM，但挤压了传统DRAM产能。三星在HBM4上采用1c工艺并自研基础裸片。
⚡关键信息
- ▸三星4纳米产能已满负荷，50%至60%产量用于生产HBM4基础裸片
- ▸平泽工厂4纳米月产能约3万片，其中1.5万片用于HBM4基础裸片
- ▸三星考虑改造器兴生产线，用2纳米制程生产HBM芯片，可能专供英伟达
- ▸三星与SK海力士存储库存已不足10天供应量，明年可用供应将明显不足
- ▸三厂HBM4路线分化：三星自研4纳米裸片配1c工艺，海力士外包台积电保良率，美光专注产能爬坡
🔥犀利点评
把最先进逻辑制程的一半拿去打基础裸片，本质是三星在HBM4这场生死战里押上了全部筹码——此前在HBM3代际被海力士压制，HBM4是最后的翻盘窗口。自研4纳米裸片看似激进，实则是逼出来的差异化：拼良率拼不过就拼集成度和自家代工协同。但风险也很直白，先进制程良率还没稳就上马，一旦翻车，连传统DRAM产能都已经被挤占，三星将两头落空。这场内存豪赌没有退路。
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