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备战 HBM4E：消息称 1c nm 有望 2027 年初成为 SK 海力士第一大 DRAM 工艺
📋总体概括
韩媒ChosunBiz报道，SK海力士第6代10nm级DRAM工艺1c nm预计2027年初超越1b nm成为其第一大制程。其1c nm产能占比将从2026Q1的10%逐季提升至2027Q1的35%，同期1b nm占比降至33%形成交叉。业内预计2026Q2末三星、美光第6代10nm级DRAM产能占比仅分别为16%和19%。SK海力士HBM4仍用1b nm Die，HBM4E将升级至1c nm，提前扩产意在保障HBM4向HBM4E的切换衔接。
⚡关键信息
- ▸SK海力士1c nm DRAM产能占比将从2026Q1的10%升至2027Q1的35%，2027年初超越1b nm（33%）成为第一大工艺
- ▸业内预计2026Q2末三星和美光第6代10nm级DRAM产能占比仅分别为16%和19%，落后于SK海力士
- ▸HBM4仍使用1b nm DRAM Die，HBM4E将升级至1c nm DRAM Die
- ▸提前布局1c nm产能，为HBM4向HBM4E市场切换提供平滑过渡
🔥犀利点评
表面看是工艺迭代节奏表，实际是HBM军备竞赛的时间差战：SK海力士1c占比遥遥领先三星、美光，本质是押注HBM4E这块下一轮AI存储的大蛋糕，先把产能铺好，等英伟达切换需求时对手只能干瞪眼。三星和美光两位数的占比说明追赶窗口正在关闭，DRAM竞争已从制程微缩竞赛彻底变成HBM出货节奏的赌局。
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