国产半导体设备重大突破！北方华创宣布3D DRAM刻蚀突破：没有EUV也能造先进存储

📋总体概括

北方华创在IEEE期刊发文，宣布针对64层硅/硅锗交替堆叠3D DRAM结构开发出两步循环刻蚀工艺：先用无偏置电中性氟自由基定点刻蚀硅锗层，再引入反应气体清除底部副产物，解决高深宽比下横向选择性刻蚀易损伤硅骨架的行业难题，实现超过500:1的刻蚀选择比。该突破可为长鑫存储等厂商在EUV封锁下推进3D DRAM自主量产提供设备与工艺支撑，开辟绕开光刻壁垒的技术路线。