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行业竞争压力加剧 铠侠出招:推动NAND闪存替代部分DRAM
📋总体概括
铠侠公布新战略,力图以增强型NAND闪存技术替代部分DRAM功能,深化与美国科技巨头合作,应对三星、SK海力士、美光等全线竞争对手的压力。核心产品是面向AI工作负载的CXL模块,将高速NAND与专用控制器结合,读取延迟降至传统NAND的十分之一以下,性能接近DRAM;用于替换部分DRAM后可使内存容量翻倍、系统整体性能提升约30%。铠侠还计划2028年推出读写增强版AI SSD样品,连接英伟达GPU与HBM互补。Gartner预测全球内存市场2026年将达8373亿美元,AI需求是主要驱动。
⚡关键信息
- ▸铠侠推动增强型NAND替代部分DRAM功能,以差异化策略对抗三星、SK海力士、美光等同时布局NAND和DRAM的对手
- ▸CXL模块将NAND读取延迟降至传统产品十分之一以下,接近DRAM水平,目前处于客户评估阶段
- ▸用CXL模块替换部分DRAM后,系统内存容量可翻倍,整体性能提升约30%
- ▸面向AI场景的新型SSD计划2028年提供读写增强版样品,将与英伟达GPU协同、与HBM形成互补
- ▸Gartner预测全球内存市场2026年规模达8373亿美元,较上年增长3.8倍
🔥犀利点评
单做NAND的铠侠被三星、海力士的DRAM+NAND双线碾压,与其硬拼不如掀桌子——让NAND去蚕食DRAM的地盘。延迟降十倍、性能接近DRAM,这数字漂亮,但闪存物理特性摆在那,写耐久和延迟差距注定它只能啃DRAM的边角料,是补位不是颠覆。真正看点是美国大客户买不买账:若英伟达生态真接纳CXL NAND,铠侠就找到了第二曲线;反之这只是困兽的漂亮说法。
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