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供给极度紧张+传统旺季,美银:9月存储现货还会继续涨
📌 概要
<p style="text-align: left;">存储芯片现货市场供需失衡持续加剧,叠加传统消费旺季临近,<strong>美国银行预计9月现货价格仍有10%至20%的上涨空间</strong>。</p> <p style="text-align: left;">追风交易台消息,据美银全球研究8月27日发布的报告,渠道调查显示,<strong>9月现货市场供给满足率(sufficiency
<p style="text-align: left;">存储芯片现货市场供需失衡持续加剧,叠加传统消费旺季临近,<strong>美国银行预计9月现货价格仍有10%至20%的上涨空间</strong>。</p>
<p style="text-align: left;">追风交易台消息,据美银全球研究8月27日发布的报告,渠道调查显示,<strong>9月现货市场供给满足率(sufficiency ratio)不足50%,模组厂商和白牌OEM普遍反映无法从主要存储芯片厂商处获得足量的通用DRAM及NAND产品,原因在于三星电子、SK海力士、美光等大厂将产能优先分配给大型科技客户。</strong></p>
<p style="text-align: left;">报告指出,<strong>尽管当前现货价格已令多数IT产品处于负毛利区间,但供给短缺与旺季效应的共振仍将推动价格进一步走高。</strong></p>
<p style="text-align: left;">上述判断的背景是,<strong>英伟达最新发布的2027财年约70%的营收增长指引远超市场预期,美银认为这对此前转向悲观的存储板块投资者构成正面提振。</strong>报告同时指出,英伟达的增长预测本身已将存储短缺纳入假设前提,若需求进一步超预期,存储行业的增长弹性可能更大。</p>
<p style="text-align: left;"><img class=" wscnph" src="https://wpimg-wscn.awtmt.com/8183dd00-bab2-413c-9441-9ba7b935532a.png" /></p>
<h2 style="text-align: left;">现货价格:多品类创历史新高,供给缺口是核心驱动</h2>
<p style="text-align: left;">根据DRAMeXchange数据,截至报告发布日,<strong>16Gb DDR5现货价格报54美元,年初至今涨幅达85%,创历史新高</strong>;16Gb DDR4现货价格报91美元,较去年同期上涨879%;8Gb DDR4报44美元,同比上涨803%。</p>
<p style="text-align: left;">NAND方面,1Tb晶圆现货价格报31.9美元,同比上涨526%;256Gb晶圆报16.8美元,周环比上涨6%,<strong>同比涨幅高达979%。</strong></p>
<p style="text-align: left;">美银渠道调查显示,9月现货市场供给满足率低于50%,这一数字与三星电子在虚拟路演中披露的信息相互印证——即便到明年,高端GPU及CPU的DRAM供给满足率仍仅在50%至60%左右。报告强调,当前现货价格虽已令多数IT产品毛利转负,但短缺格局与旺季需求叠加,仍支撑9月现货价格存在10%至20%的上行空间。</p>
<h2 style="text-align: left;">英伟达2027指引:存储增长空间或超80%</h2>
<p style="text-align: left;">美银报告将英伟达 2027财年约70%的营收增长指引视为存储行业的重要催化剂,并据此上调了对全球DRAM销售额的增长预期。</p>
<p style="text-align: left;">报告指出,若仅假设2027年各季度均价环比上涨10%,叠加约19%的出货量增长,2027年全球DRAM销售额增幅可能超过80%,远高于此前预测的48%(均价+24%,出货量+19%)。</p>
<p style="text-align: left;">美银列举了三大驱动因素:</p>
<p style="text-align: left;">其一,英伟达自身约70%的增长预测已基于存储短缺假设,若芯片订单需求更强、Rubin/Vera平台采用更广泛,上行空间将进一步打开;</p>
<p style="text-align: left;">其二,ASIC/TPU阵营正更积极地争夺HBM、DRAM及NAND资源,且愿意支付高于英伟达的价格;</p>
<p style="text-align: left;">其三,若英伟达与超大规模云厂商消化三大存储厂商新增产能,苹果、中国OEM及中国台湾模组厂商可能在长期协议框架下提出更高的2027年存储报价,届时均价存在单季度环比上涨10%以上的可能。</p>
<h2 style="text-align: left;">产业链路演:供给扩张受限,长协比例提升</h2>
<p style="text-align: left;">美银本周举办了覆盖10余家存储及韩国科技公司的虚拟路演,整体基调偏乐观。</p>
<p style="text-align: left;">三星电子方面表示,即便在长期协议(LTA)框架下,DRAM均价仍可按季度协商,目前约60%至70%的晶圆产能纳入LTA管理;新建晶圆厂(P4)产能主要用于HBM,高端GPU/CPU不存在降规格(de-spec)情况,<strong>明年供给满足率仍仅约50%至60%。</strong></p>
<p style="text-align: left;">SK海力士则表示,尽管新建龙仁厂区已在推进,但受HBM产能占用影响,晶圆产能扩张整体受限,对传统DRAM及NAND扩产不感兴趣;即便LTA比例提升,近期均价上行空间依然较大。</p>
<p style="text-align: left;">Nanya Tech指出,传统DDR4需求非常强劲,新建晶圆厂设备安装预计于2027年一季度启动,初始目标产能为每月3万片,计划于2028年达产。Silicon Motion表示,企业级解决方案年化营收已从一年前的约10亿美元翻倍至近20亿美元;FADU则预计2026年下半年至2027年eSSD控制器销售额将实现100%以上增长。</p>
<h2 style="text-align: left;">韩国半导体出口:8月前20天创历史新高</h2>
<p style="text-align: left;">韩国产业通商资源部数据显示,8月前20天半导体出口额达260亿美元,环比增长18%,创历史新高;同比增速加速至199%,已连续七个月实现正增长。</p>
<p style="text-align: left;">英伟达方面,<strong>其7月季度营收报960亿美元,同比增长106%,环比增长18%;数据中心营收达890亿美元,同比增长117%,占总营收比例高达93%。</strong></p>
<p style="text-align: left;">美银美国分析师预计,随着存储成本上升,英伟达毛利率将出现温和压缩,但数据中心毛利率有望维持在70%以上。</p>
<h2 style="text-align: left;">存储股估值:经历7月至8月回调后仍大幅跑赢</h2>
<p style="text-align: left;">尽管DRAM及NAND相关股票在7月至8月出现回调,但年初至今涨幅仍十分显著。</p>
<p style="text-align: left;">美银数据显示,<strong>三星电子、SK海力士、美光及Nanya Tech股价较2026年初均上涨2至3倍;SanDisk及Kioxia年初至今回报率更超过400%。</strong></p>
<p style="text-align: left;">从估值角度看,多数DRAM股票目前市盈率仍处于4至8倍区间,美银认为估值并不昂贵。</p>
<p style="text-align: left;">报告指出,SK海力士和三星电子股价在英伟达财报发布后的8月27日已出现明显反弹。合同价格方面,16Gb DDR5及DDR4合同价格均在35至40美元区间,8月环比涨幅收窄至低个位数,低于7月的10%至15%;NAND 512Gb晶圆合同价格目前约为26美元,较2025年2月低点上涨约10倍。</p>
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