SK 海力士目标 2028 年将 High NA EUV 技术用于 DRAM 内存量产

📋总体概括

SK海力士宣布目标2028年将High NA（高数值孔径）EUV光刻工艺用于DRAM大规模量产，并正评估是否加入ASML牵头、联合台积电、三星、英特尔推动High NA EUV向12英寸掩膜过渡的生态联盟。同日三星也确认2028年量产计划，美光则计划在第7代1δ DRAM工艺导入最新一代EUV设备。三大存储巨头同时押注下一代光刻，标志DRAM微缩竞赛进入High NA时代。