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不靠EUV也能造HBM!前英特尔大牛结束7年隐身:宣称破解HBM供应瓶颈
📋总体概括
前英特尔MESO器件共同发明人Sasi Manipatruni参与的初创公司Kepler Computing结束7年隐身,宣布基于3D堆叠与专有铁电材料的新型内存架构,宣称无需EUV光刻即可大幅提升HBM和SRAM密度,缓解全球HBM供应瓶颈。公司累计融资4.68亿美元,投资方含英特尔Capital、AMD Ventures、盖茨基金等,GlobalFoundries既投5000万美元又担制造伙伴,美国商务部承诺最高2.45亿美元支持。公司已在约2000片晶圆上完成验证,年内出货首批HBM样品,2028年启动美国本土生产。
⚡关键信息
- ▸Kepler Computing结束7年隐身,宣称用3D堆叠加铁电材料实现不依赖EUV的高密度HBM和SRAM
- ▸累计融资4.68亿美元,GlobalFoundries投资5000万美元并担任制造合作伙伴
- ▸美国商务部7月承诺提供最高2.45亿美元资金支持,押注本土HBM供应链
- ▸核心主张是改造现有产线增加HBM供给,省去耗资200亿至400亿美元的新建内存晶圆厂
- ▸路线图:约2000片晶圆验证完成,年内出样,明年在新加坡扩产,2028年美国本土生产
🔥犀利点评
故事很漂亮:铁电材料加3D堆叠绕开EUV、省下几百亿晶圆厂,正中美国HBM焦虑的要害,所以商务部和GF都掏了钱。但要注意,出资方全是地缘政治的受益者,技术叙事天然带着政策口吻。铁电材料掺铁带来良率污染问题被GF高管自己点名,年内存样品到2028量产之间隔着数不清的工程坑。在SK海力士、三星已用EUV量产HBM3E的当下,这条路线更像对冲期权而非颠覆者——听其言,更需看2026年的实际样品。
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