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韩媒嘲讽长鑫HBM3良率仅25%：4个里3个是废品！拿什么追SK海力士
📋总体概括
据韩国《朝鲜日报》报道，长鑫存储已启动第四代高带宽内存HBM3试产，但初期良率仅停留在25%，远低于行业公认的80%量产黄金线。韩媒将瓶颈指向TSV硅通孔工艺：长鑫每颗芯片TSV数量约3000个，落后于三星HBM2的超5000个和SK海力士HBM3的超8000个。SK海力士自2022年量产HBM3，良率已超90%。报道认为长鑫的G4工艺普通DRAM本身没问题，TSV经验差距才是核心短板。
⚡关键信息
- ▸长鑫存储已启动HBM3试产，但初期良率仅25%，为80%量产黄金线的约三分之一
- ▸SK海力士自2022年起量产HBM3，良率已超90%，两者差距超60个百分点
- ▸韩媒指出瓶颈在TSV工艺而非DRAM本身：长鑫G4工艺普通DRAM没有大问题
- ▸TSV数量对比悬殊：长鑫约3000个，三星HBM2超5000个，SK海力士HBM3超8000个
- ▸TSV需在每层钻数千个微米级孔并填铜，偏移或填充不完整即整层报废
🔥犀利点评
韩媒这波嘲讽数据大体属实，但故意模糊了时间维度——SK海力士2022年量产时的良率未必比今天长鑫好看多少，拿领先者成熟期成绩对比追赶者初期成绩，本就是宣传话术。25%确实难看，但试产阶段良率低是正常曲线，真正的问题是TSV经验差距需数年积累，长鑫缺的不是方向而是时间。讽刺归讽刺，1-2年内良率能否爬到60%以上，才是判断中国HBM能否上牌桌的真正指标。
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