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进入1.4nm节点比台积电更快：Intel 14A工艺关键指标D0提前一年实现
📋总体概括
Intel的1.4nm级14A工艺进展超预期，据披露其6月份D0缺陷密度已达0.5，目标2027年Q1做到0.1-0.2，进度比18A节点领先3-4个季度，量产有望提前至2028年上半年。D0直接决定良率：0.1以下可使100mm2小芯片良率超90%，AI大芯片可达65-75%。Intel称14A是22nm工艺以来最顺利的节点，并试图借此真正反超台积电。
⚡关键信息
- ▸Intel 14A工艺6月份缺陷密度已达D0 0.5，目标2027年Q1做到D0 0.1-0.2
- ▸14A进度整体领先18A节点3-4个季度，提前一年量产的说法有数据支撑
- ▸D0 0.5时AI大芯片良率仅约10%，无量产可行性，0.1以下才能实现65-75%良率
- ▸Intel CFO称14A是22nm以来最顺利的工艺节点，量产或提前至2028年上半年甚至Q1
- ▸18A/18A-P仅追平台积电，1.4nm的14A是Intel反超的关键一役
🔥犀利点评
D0 0.5对量产毫无意义，10%良率造一颗亏一颗，真正的看点是能否如期在2027年Q1压到0.1-0.2——那才是Intel能否翻身的天堑。Intel这些年从10nm到7nm的「跳票式乐观」教训不浅，如今CFO亲自出来背书，更像是给资本市场打气的信号管理。不过18A确实追平了，14A若真提前量产，台积电的A14节点压力就实打实来了。别急着欢呼，先看明年Q1的D0数据再说。
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